지난해 4분기 영업이익 3460억원…DDR5·HBM3 매출 증가·수요 회복·업황 반등 영향

경기도 성남시 분당구에 위치한 SK U타워의 SK하이닉스 입구 전경. 사진=최양수 기자
경기도 성남시 분당구에 위치한 SK U타워의 SK하이닉스 입구 전경. 사진=최양수 기자

[뉴스워치= 최양수 기자] SK하이닉스가 주력 제품인 DDR5(Double Data Rate5)와 고대역폭메모리(HBM·High Bandwidth Memory) 등 고성능 제품의 매출이 증가, 메모리 반도체 수요 회복 및 업황 반등이 본격화되면서 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다.

SK하이닉스는 25일 오전 9시에 ‘2023년 4분기 경영실적발표’ 컨퍼런스콜(Conference Call)을 열었다. 이 자리에서 지난해 4분기 매출 11조3055억원, 영업이익 3460억원(영업이익률 3%), 순손실 1조3795억원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난 2022년 4분기부터 이어져 온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다.

SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI(인공지능) 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP·Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다”고 설명했다.

SK하이닉스는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업적자 규모를 줄여 2023년 연간 실적은 매출 32조7657억원, 영업손실 7조7303억원(영업손실률 24%), 순손실 9조1375억원(순손실률 28%)을 기록했다.

지난해 SK하이닉스는 DRAM(디램·Dynamic Random Access Memory)에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. 다만 상대적으로 업황 반등이 늦어지고 있는 NAND Flash Memory(낸드 플래시) 메모리 반도체에서는 투자와 비용을 효율화하는 데 집중했다고 언급했다.

경기도 성남시 분당구에 위치한 SK U타워의 SK하이닉스 입구 전경. 사진=최양수 기자
경기도 성남시 분당구에 위치한 SK U타워의 SK하이닉스 입구 전경. 사진=최양수 기자

SK하이닉스는 고성능 DRAM 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E 양산과 HBM4 개발을 순조롭게 진행하는 한편, 서버와 모바일 시장에 DDR5, LPDDR5T 등 고성능, 고용량 제품을 적기에 공급하기로 했다. 

또 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스(on-device) AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다.

NAND Flash Memory의 경우 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다.

한편 올해 SK하이닉스는 지난해와 마찬가지로 고부가가치 제품 중심으로 생산을 늘리며 수익성과 효율성을 높이는 기조를 유지하는 한편 투자비용(CAPEX) 증가는 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “장기간 이어져온 다운턴에서도 회사는 AI 메모리 등 기술 리더십을 공고히 하며 지난해 4분기 흑자 전환과 함께 실적 반등을 본격화하게 됐다”며 “새로운 도약의 시기를 맞아 변화를 선도하고 고객맞춤형 솔루션을 제시하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로 성장해 갈 것”이라고 말했다.

최양수 기자 newswatch@newswatch.kr

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