[뉴스워치=이우탁 기자] SK하이닉스가 초고속 D램인 'HBM2E'의 본격 양산에 들어갔다. 이번 성과는 지난해 8월 'HBM2E' 개발 이후 10개월만에 이룬 것이다.

2일 SK하이닉스에 따르면 본격 양산에 들어간 'HBM2E'는 초당 3.6기가비트의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트의 데이터를 처리할 수 있다. 3.7GB에 달하는 FHD급 영화 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다.

'HBM2E'의 용량도 8개의 16기가비트 D램 칩을 TSV 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. 

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술로, 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류 등을 전달한다.

이를 통해 기존에 사용되던 패키지 방식들보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄일 수 있다.

이와 같이 초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 'HBM2E'는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 기대를 모으고 있을 뿐 아니라, 기상변화·생물의학·우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터에 채용될 전망이다.

SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 "SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다"며 "이번 'HBM2E' 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것"이라고 밝혔다.