[뉴스워치=유수정 기자] 삼성전자가 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)’ 솔루션 제품을 출하했다.

‘FD-SOI’ 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, ‘MRAM’은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 비휘발성이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가진 메모리 반도체다.

이 두 기술을 합쳐 전력을 적게 소모하고 소형화가 쉬움에도 속도를 높이고 가격을 낮춘 차세대 내장 메모리를 제작했다는 게 삼성 측의 설명이다.

삼성에 따르면 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다.

보다 상세하게는 내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다.

그러나 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있다.

그러나 삼성전자가 개발한 ‘28나노 FD-SOI eMRAM’ 솔루션은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현하는 것이 특징이다.

또 비휘발성 특성 덕에 전원이 꺼진 상태에서도 저장된 데이터를 계속 유지, 대기 전력을 소모하지 않으며 데이터 기록 시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율도 뛰어나다.

아울러 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하다는 강점을 지녔다. 단순한 구조 덕에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다.

삼성전자는 연 내 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 “신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성으로 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 말했다.